STF11NM80

Name: TSTF11NM80 TSTF11NM80
Brand: ST
SKU: TSTF11NM80
Price: 1.5913 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTF11NM80

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 400 mOhm; 11A; 35W; -65 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF11NM80 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,3022	1,9315	1,7166	1,5844	1,5348

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF11NM80 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

2750 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6205

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF11NM80 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

2100 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5800

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF11NM80 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5913

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	THT