STF11NM80

Symbol Micros: TSTF11NM80
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 400 mOhm; 11A; 35W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Max. Drainstrom: 11A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF11NM80 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
47 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,2750 1,9087 1,6963 1,5657 1,5167
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Max. Drainstrom: 11A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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