STF13NM60N

Symbol Micros: TSTF13NM60N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 360 mOhm; 11A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF13NM60N RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
37 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8135 1,4475 1,2397 1,1122 1,0673
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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