STF15N80K5 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTF15N80k5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 375 mOhm; 14A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 375mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF15N80K5 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,1665 2,7373 2,4834 2,3218 2,2618
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 375mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT