STF19NF20

Symbol Micros: TSTF19NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 160 mOhm; 15A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF19NF20 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
18 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0132 0,7432 0,5955 0,5124 0,4824
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole