STF19NM50N

Symbol Micros: TSTF19NM50N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Trans MOSFET N-CH 500V 14A
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF19NM50N Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 550+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6372
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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