STF22NM60N TO220

Symbol Micros: TSTF22NM60n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 600V 16A 30W 0.22Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 220mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF22NM60N Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9907
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 220mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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