STF24N60M2

Symbol Micros: TSTF24n60m2

Gehäuse: TO220FP

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF24N60M2 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt

Auf Lager:

47 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,9474	1,6331	1,4511	1,3400	1,2975

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF24N60M2 Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

900 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2975

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF24N60M2 Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

1950 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2975

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT