STF3NK100Z

Symbol Micros: TSTF3NK100z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 6Ohm; 2,5A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF3NK100Z RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5881 1,2672 1,0845 0,9744 0,9346
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF3NK100Z Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2600 stk.
Anzahl Stück 600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9346
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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