STF6N65K3 STM

Symbol Micros: TSTF6n65k3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,3 Ohm; 5,4A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drainstrom: 5,4A
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF6N65K3 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5195
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drainstrom: 5,4A
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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