STF6N65K3 STM
Symbol Micros:
TSTF6n65k3
Gehäuse: TO220FP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,3 Ohm; 5,4A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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