STF6N65K3 STM

Symbol Micros: TSTF6n65k3

Gehäuse:

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,3 Ohm; 5,4A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,3Ohm
Max. Drainstrom:	5,4A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF6N65K3 Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

575 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5067

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF6N65K3 Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

1900 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4894

Widerstand im offenen Kanal:	1,3Ohm
Max. Drainstrom:	5,4A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT