STF7NM60N

Symbol Micros: TSTF7NM60n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 900 mOhm; 5A; 20W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF7NM60N RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0029 0,7356 0,5894 0,5071 0,4774
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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