STF7NM60N
Symbol Micros:
TSTF7NM60n
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 900 mOhm; 5A; 20W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF7NM60N
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3749 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF7NM60N
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
8043 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4290 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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