STF8NK100Z

Symbol Micros: TSTF8NK100z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 1000V; 30V; 1,85 Ohm; 6,5A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,85Ohm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Msx. Drain-Gate Spannung: 1000V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF8NK100Z RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4707 1,8997 1,6858 1,5789 1,5448
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 1,85Ohm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Msx. Drain-Gate Spannung: 1000V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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