STF9NK90Z

Symbol Micros: TSTF9NK90z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 8A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF9NK90Z RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9918 1,5901 1,3600 1,2214 1,1720
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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