STFW3N150

Symbol Micros: TSTFW3N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3Piso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 63W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO-3Piso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STFW3N150 RoHS Gehäuse: TO 3Piso Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 15+ 30+ 150+
Nettopreis (EUR) 2,5480 2,1359 1,9469 1,8922 1,8194
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Standard-Verpackung:
15
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO-3Piso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: THT

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