STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGD10nc60kdt4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 62W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 19nC
Maximale Verlustleistung: 62W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Max. Kollektor-Strom: 20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGD10NC60KDT4 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 89+ 356+
Nettopreis (EUR) 1,5943 1,1169 0,9476 0,8700 0,8395
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Standard-Verpackung:
89
Gate-Ladung: 19nC
Maximale Verlustleistung: 62W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Max. Kollektor-Strom: 20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD

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