STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGD3nb60sdt4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 6A; 25A; 48W; 2,5V~4,5V; 23nC; -65°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 23nC
Maximale Verlustleistung: 48W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 25A
Max. Kollektor-Strom: 6A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 2,5V ~ 4,5V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGD3NB60SD RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2745 0,9711 0,8042 0,7054 0,6702
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Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 23nC
Maximale Verlustleistung: 48W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 25A
Max. Kollektor-Strom: 6A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 2,5V ~ 4,5V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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