STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGD6nc60hdt4
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 15A; 21A; 56W; 3,75V~5,75V; 13,6nC; -55°C~150°C; Äquivalent: STGD6NC60HD;
Parameter
| Gate-Ladung: | 13,6nC |
| Maximale Verlustleistung: | 56W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 21A |
| Max. Kollektor-Strom: | 15A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gate-Ladung: | 13,6nC |
| Maximale Verlustleistung: | 56W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 21A |
| Max. Kollektor-Strom: | 15A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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