STGF7NB60SL STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGF7NB60SL
Gehäuse: TO220FP
Trans IGBT ; 600V; 20V; 15A; 20A; 25W; 1,2V~2,4V; 22nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: | 22nC |
Maximale Verlustleistung: | 25W |
Max. Kollektor-Strom: | 15A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 20A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 1,2V ~ 2,4V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF7NB60SL RoHS
Gehäuse: TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
509 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,8651 | 1,4883 | 1,2740 | 1,1445 | 1,0974 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF7NB60SL
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
53500 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,0974 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF7NB60SL
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,0974 |
Gate-Ladung: | 22nC |
Maximale Verlustleistung: | 25W |
Max. Kollektor-Strom: | 15A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 20A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 1,2V ~ 2,4V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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