STGF7NB60SL STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGF7NB60SL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 15A; 20A; 25W; 1,2V~2,4V; 22nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 25W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 20A
Max. Kollektor-Strom: 15A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 1,2V ~ 2,4V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGF7NB60SL RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
509 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6950 1,3522 1,1584 1,0402 0,9976
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGF7NB60SL Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
53500 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9976
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGF7NB60SL Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9976
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 25W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 20A
Max. Kollektor-Strom: 15A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 1,2V ~ 2,4V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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