STGP10NC60KD

Symbol Micros: TSTGP10nc60kd

Gehäuse: TO220

Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	19nC
Maximale Verlustleistung:	65W
Max. Kollektor-Strom:	20A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP10NC60KD Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5150 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7610

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP10NC60KD Gehäuse: TO220

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25800 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6348

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-01-31

Anzahl Stück: 100

Gate-Ladung:	19nC
Maximale Verlustleistung:	65W
Max. Kollektor-Strom:	20A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT