STGP10NC60KD

Symbol Micros: TSTGP10nc60kd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 19nC
Maximale Verlustleistung: 65W
Max. Kollektor-Strom: 20A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP10NC60KD RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5597 1,0916 0,8752 0,8493 0,8210
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP10NC60KD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5500 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8624
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP10NC60KD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9492
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 19nC
Maximale Verlustleistung: 65W
Max. Kollektor-Strom: 20A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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