STGP14NC60KD

Symbol Micros: TSTGP14nc60kd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 25A; 50A; 80W; 4,5V~6,5V; 34,4nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 34,4nC
Maximale Verlustleistung: 80W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 50A
Max. Kollektor-Strom: 25A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP14NC60KD RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6407 1,2170 1,0122 0,9769 0,9651
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Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP14NC60KD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5150 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9651
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP14NC60KD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1432 stk.
Anzahl Stück 650+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9651
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 34,4nC
Maximale Verlustleistung: 80W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 50A
Max. Kollektor-Strom: 25A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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