STGP8NC60KD

Symbol Micros: TSTGP8nc60kd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Trans IGBT ; 600V; 20V; 15A; 30A; 65W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 19nC
Maximale Verlustleistung: 65W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Max. Kollektor-Strom: 15A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 19nC
Maximale Verlustleistung: 65W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Max. Kollektor-Strom: 15A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT