STGW19NC60HD
Symbol Micros:
TSTGW19nc60hd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 42A; 60A; 140W; 3,75V~5,75V; 53nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: | 53nC |
Maximale Verlustleistung: | 140W |
Max. Kollektor-Strom: | 42A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW19NC60HD RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
24 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
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Nettopreis (EUR) | 2,8936 | 2,3883 | 2,0912 | 1,9462 | 1,8667 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW19NC60HD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,8667 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW19NC60HD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
4805 stk.
Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,8667 |
Gate-Ladung: | 53nC |
Maximale Verlustleistung: | 140W |
Max. Kollektor-Strom: | 42A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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