STGW19NC60HD

Symbol Micros: TSTGW19nc60hd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 42A; 60A; 140W; 3,75V~5,75V; 53nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 53nC
Maximale Verlustleistung: 140W
Max. Kollektor-Strom: 42A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW19NC60HD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
24 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 2,8474 2,3502 2,0579 1,9152 1,8369
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 53nC
Maximale Verlustleistung: 140W
Max. Kollektor-Strom: 42A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT