STGW19NC60HD

Symbol Micros: TSTGW19nc60hd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 42A; 60A; 140W; 3,75V~5,75V; 53nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 53nC
Maximale Verlustleistung: 140W
Max. Kollektor-Strom: 42A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW19NC60HD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
24 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 2,9196 2,4098 2,1100 1,9637 1,8835
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW19NC60HD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,8835
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW19NC60HD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
5405 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,8835
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 53nC
Maximale Verlustleistung: 140W
Max. Kollektor-Strom: 42A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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