STGW20NC60VD STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGW20nc60vd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 200W; 3,75V~5,75V; 140nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 140nC |
| Maximale Verlustleistung: | 200W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
34 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7541 | 2,1158 | 1,8368 | 1,7848 | 1,7210 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
5100 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7210 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
5430 stk.
| Anzahl Stück | 330+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7210 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
9540 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7210 |
| Gate-Ladung: | 140nC |
| Maximale Verlustleistung: | 200W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole