STGW30NC120HD STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGW30nc120hd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 60A; 135A; 220W; 3,75V~5,75V; 110nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: | 110nC |
Maximale Verlustleistung: | 220W |
Max. Kollektor-Strom: | 60A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 135A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW30NC120HD RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
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Nettopreis (EUR) | 3,5947 | 3,1924 | 2,9525 | 2,8325 | 2,7643 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW30NC120HD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
270 stk.
Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,7643 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW30NC120HD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1860 stk.
Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,7643 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW30NC120HD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2272 stk.
Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,7643 |
Gate-Ladung: | 110nC |
Maximale Verlustleistung: | 220W |
Max. Kollektor-Strom: | 60A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 135A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 25V |
Montage: | THT |
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