STGW30NC120HD STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW30nc120hd
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Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 1200V; 25V; 60A; 135A; 220W; 3,75V~5,75V; 110nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 110nC
Maximale Verlustleistung: 220W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 135A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW30NC120HD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,6180 3,2131 2,9716 2,8509 2,7822
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW30NC120HD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
7590 stk.
Anzahl Stück 90+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,7822
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW30NC120HD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
2960 stk.
Anzahl Stück 210+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,7822
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 110nC
Maximale Verlustleistung: 220W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 135A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 25V
Montage: THT

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