STGW30V60DF STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW30v60df
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 258W; 5,0V~7,0V; 163nC; -55°C~175°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 163nC
Maximale Verlustleistung: 258W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 163nC
Maximale Verlustleistung: 258W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT