STGW40V60DF

Symbol Micros: TSTGW40v60df
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Gehäuse: TO247
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Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 283W; 5V~7V; 226nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 226nC
Maximale Verlustleistung: 283W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ST
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW40V60DF Gehäuse: TO247  
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Nettopreis (EUR) 0,8888
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 226nC
Maximale Verlustleistung: 283W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ST
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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