TSTGW45hf60wd

Symbol Micros: TSTGW45hf60wd

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 150A; 250W; 3,75V~5,75V; 160nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	160nC
Maximale Verlustleistung:	250W
Max. Kollektor-Strom:	70A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,75V ~ 5,75V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW45HF60WD RoHS Gehäuse: TO247

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Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	4,3440	3,6529	3,2369	3,0300	2,9148

Gate-Ladung:	160nC
Maximale Verlustleistung:	250W
Max. Kollektor-Strom:	70A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,75V ~ 5,75V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT