STGWA60H65DFB STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGWA60h65dfb
Gehäuse: TO247
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 240A; 375W; 5V~7V; 306nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 306nC |
| Maximale Verlustleistung: | 375W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 240A |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ST |
| Gate-Ladung: | 306nC |
| Maximale Verlustleistung: | 375W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 240A |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ST |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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