STH240N10F7-2 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTH240N10F7-2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 2,5 mOhm; 180A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO263
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STH240N10F7-2 Gehäuse: TO263  
Externes Lager:
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Nettopreis (EUR) 2,1149
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO263
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD