STH240N10F7-2 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTH240N10F7-2

Gehäuse: TO263

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 2,5 mOhm; 180A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO263
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STH240N10F7-2 Gehäuse: TO263

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1149

Widerstand im offenen Kanal:	2,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO263
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD