STH240N10F7-2 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTH240N10F7-2
Gehäuse: TO263
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 2,5 mOhm; 180A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 180A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO263 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STH240N10F7-2
Gehäuse: TO263
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,1149 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 180A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO263 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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