STN3N40K3

Symbol Micros: TSTN3N40K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 3,4 Ohm; 1,8A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,4Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-04
Anzahl Stück: 200
Widerstand im offenen Kanal: 3,4Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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