STN3N45K3 SOT223

Symbol Micros: TSTN3n45k3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 450V; 30V; 4Ohm; 600mA; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 450V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN3N45K3 RoHS Gehäuse: SOT223 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4397 0,2422 0,1907 0,1766 0,1693
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 450V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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