STN3N45K3 SOT223

Symbol Micros: TSTN3n45k3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 450V; 30V; 4Ohm; 600mA; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 450V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN3N45K3 RoHS Gehäuse: SOT223 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4316 0,2377 0,1872 0,1733 0,1662
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN3N45K3 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1716
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 450V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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