STN3NF06

Symbol Micros: TSTN3nf06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD