STN4NF03L

Symbol Micros: TSTN4NF03L

Gehäuse: SOT223-4

N-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	6,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,3W
Gehäuse:	SOT223-4
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN4NF03L RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	600+
Nettopreis (EUR)	0,4846	0,2908	0,2236	0,2014	0,1936

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN4NF03L Gehäuse: SOT223-4

Externes Lager:

52000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1936

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN4NF03L Gehäuse: SOT223-4

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136000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1936

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN4NF03L Gehäuse: SOT223-4

Externes Lager:

72000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1936

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	6,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,3W
Gehäuse:	SOT223-4
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD