STN4NF03L

Symbol Micros: TSTN4NF03L

Gehäuse: SOT223-4

N-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	6,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,3W
Gehäuse:	SOT223-4
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	16V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN4NF03L RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt

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100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	600+
Nettopreis (EUR)	0,5582	0,3372	0,2574	0,2324	0,2230

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	6,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,3W
Gehäuse:	SOT223-4
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD