STP100N10F7  STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP100N10F7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 8mOhm; 80A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP100N10F7 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8512 1,4755 1,2637 1,1340 1,0884
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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