STP100NF04
Symbol Micros:
TSTP100NF04
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,6 mOhm; 120A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP100NF04$K;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,6mOhm |
Max. Drainstrom: | 120A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5016 | 2,1630 | 1,9608 | 1,8339 | 1,7868 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP100NF04
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1546 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7868 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP100NF04
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7868 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP100NF04
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1850 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7868 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,6mOhm |
Max. Drainstrom: | 120A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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