STP100NF04

Symbol Micros: TSTP100NF04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,6 mOhm; 120A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP100NF04$K;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,6mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP100NF04 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,4240 2,0959 1,9000 1,7770 1,7314
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,6mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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