STP10NK70ZFP

Symbol Micros: TSTP10NK70ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET 8.6A 700V 35W 0.85Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8,6A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Msx. Drain-Gate Spannung: 700V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK70ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
37 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7290 1,3775 1,1804 1,0592 1,0165
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8,6A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Msx. Drain-Gate Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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