STP11NK40Z
Symbol Micros:
TSTP11NK40Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 400V; 30V; 550 mOhm; 9A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 400V |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0909 | 0,7265 | 0,5596 | 0,5408 | 0,5196 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP11NK40Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
240 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5635 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP11NK40Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4100 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5196 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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