STP11NK40ZFP
Symbol Micros:
TSTP11NK40ZFP
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 400V; 400V; 30V; 550 mOhm; 9A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 400V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP11NK40ZFP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2833 | 0,9005 | 0,7208 | 0,6996 | 0,6759 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP11NK40ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 950+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6759 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP11NK40ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1100 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6759 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP11NK40ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
8250 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6759 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole