STP11NK40ZFP

Symbol Micros: TSTP11NK40ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 400V; 400V; 30V; 550 mOhm; 9A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NK40ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2896 0,9049 0,7244 0,7030 0,6792
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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