STP11NK50Z

Symbol Micros: TSTP11NK50Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 520 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 520mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NK50Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5152 1,1566 0,9571 0,8384 0,7980
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 520mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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