STP11NM60FD

Symbol Micros: TSTP11NM60FD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 450 mOhm; 11A; 160 W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NM60FD RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,4438 2,0496 1,8216 1,6815 1,6292
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole