STP11NM60FD
Symbol Micros:
TSTP11NM60FD
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 450 mOhm; 11A; 160 W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 450mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-31
Anzahl Stück: 50
| Widerstand im offenen Kanal: | 450mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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