YFW65R380AF

Symbol Micros: TSTP11NM60FD YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-MOSFET; 650V; 30V; 380mOhm; 11A; 84,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalente: STP11NM60FD; STP11NM60FD-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 84,5W
Gehäuse: TO220
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW65R380AF RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3248 0,9281 0,7415 0,7061 0,6966
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 84,5W
Gehäuse: TO220
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole