STP11NM80

Symbol Micros: TSTP11NM80
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 400 mOhm; 11A; 150 W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NM80 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,0433 2,6296 2,3865 2,2322 2,1738
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NM80 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,1738
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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