STP120NF10

Symbol Micros: TSTP120NF10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10,5 mOhm; 110A; 312W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 312W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP120NF10 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,1351 1,6933 1,4748 1,4487 1,4226
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 10,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 312W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole