STP12NK30Z
Symbol Micros:
TSTP12NK30Z
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 300V; 300V; 30V; 400 mOhm; 9A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 300V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 300V |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9335 | 0,6854 | 0,5483 | 0,4703 | 0,4443 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NK30Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 750+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4861 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NK30Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4450 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4596 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 300V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 300V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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