STP12NK80Z
Symbol Micros:
TSTP12NK80Z
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 750 mOhm; 10,5A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1320 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9641 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1900 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8154 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6400 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9580 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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