STP12NM50
Symbol Micros:
TSTP12NM50
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 350 mOhm; 12A; 160 W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 350mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1980 | 1,8434 | 1,6378 | 1,5126 | 1,4653 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NM50
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
115796 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4653 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NM50
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2800 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4653 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NM50
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
35401 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4653 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 350mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole