STP13NM60N
Symbol Micros:
TSTP13NM60N
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 360 mOhm; 11A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7960 | 1,4335 | 1,2264 | 1,1016 | 1,0569 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP13NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 550+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0569 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP13NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0569 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP13NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
5200 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0569 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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