STP140NF75

Symbol Micros: TSTP140NF75
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 75V; 20V; 7,5 mOhm; 120A; 310 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Msx. Drain-Gate Spannung: 75V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Msx. Drain-Gate Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT