STP140NF75

Symbol Micros: TSTP140NF75
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 75V; 20V; 7,5 mOhm; 120A; 310 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Msx. Drain-Gate Spannung: 75V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP140NF75 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9507 1,6345 1,4532 1,3415 1,2997
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP140NF75 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8950 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2997
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Msx. Drain-Gate Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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