STP14NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP14NK60ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 500 mOhm; 13,5A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 13,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP14NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,0520 1,7218 1,5295 1,4107 1,3680
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 13,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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