STP14NM50N

Symbol Micros: TSTP14NM50N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP14NM50N RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5800 1,2043 0,9972 0,8742 0,8310
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP14NM50N Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8310
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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