STP16N65M5

Symbol Micros: TSTP16N65M5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 279 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 279mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP16N65M5 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,8238 2,3251 2,1375 2,0377 2,0163
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 279mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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