STP16N65M5
Symbol Micros:
TSTP16N65M5
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 279 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 279mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7934 | 2,3001 | 2,1145 | 2,0158 | 1,9946 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP16N65M5
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
260 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0353 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP16N65M5
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
400 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9946 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP16N65M5
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
480 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9946 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 279mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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