STP16N65M5
Symbol Micros:
TSTP16N65M5
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 279 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 279mOhm |
Max. Drainstrom: | 12A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP16N65M5
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
260 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,0355 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP16N65M5
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
480 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,3785 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP16N65M5
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3283 |
Widerstand im offenen Kanal: | 279mOhm |
Max. Drainstrom: | 12A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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