STP16N65M5
Symbol Micros:
TSTP16N65M5
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 279 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 279mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-27
Anzahl Stück: 20
| Widerstand im offenen Kanal: | 279mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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